다이아몬드 열관리
다이아몬드 열관리
다이아몬드 열관리
다이아몬드 방열 소재와 CVD 열관리 응용
다이아몬드 방열 소재는 고출력 부품에 어떻게 적용됩니까?
다이아몬드 방열 소재는 다이아몬드의 높은 열전도율, 전기 절연성 및 낮은 열팽창 특성을 활용하여 고열유속 부품의 열전도 경로를 단축합니다. Alishan Diamond 는 단결정 다이아몬드 방열판, 다결정 다이아몬드 방열판, 구리-다이아몬드 복합 소재와 실리콘 또는 탄화규소 기판에 직접 성장시킬 수 있는 다이아몬드 박막을 제공하며, 열원 면적, 전력 밀도, 패키지 구조 및 비용 조건에 따라 선택할 수 있습니다.
적용 분야는 AI／HPC, CPU／GPU／ASIC, GaN／SiC 전력 부품, 고출력 LED, RF／마이크로파 부품 및 레이저 다이오드 등을 포함하며, 부품 설계 단계에서 칩 핫스팟, 패키지 인터페이스 및 방열 기판 구성을 평가할 수 있도록 지원합니다.
소재 유형
단결정, 다결정, 구리-다이아몬드 복합재와 다이아몬드 박막의 차이점은 무엇입니까?
다결정 다이아몬드 방열판
열전도율 데이터는 1,000～1,800 W/m·K이며, 2인치부터 6인치까지의 대면적 기판을 제작할 수 있어 방열 커버 면적과 양산 평가가 필요한 패키지 응용에 적합합니다.
단결정 다이아몬드 방열판
열전도율은 2,000 W/m·K 이상에 달할 수 있으며, 소면적·고전력 밀도 칩, 고출력 레이저 및 인터페이스 품질 요구가 높은 부품에 적합합니다.
구리-다이아몬드 복합 소재
구리와 다이아몬드의 복합 비율을 조정하여 열전도, 전기전도 및 열팽창 정합을 균형 있게 구현할 수 있으며, 전력 모듈과 반도체 패키지 기판에 적합합니다.
다이아몬드 박막
DOSi 및 DOSiC 공정으로 다이아몬드 방열층을 Si 또는 SiC 기판에 통합하여 칩과 방열층 사이의 열전달 경로를 단축할 수 있습니다.
공정 역량
CVD 결정 성장부터 패키지 인터페이스까지의 공정 역량
공정은 CVD 다이아몬드 성장, 정밀 절단, 연삭·연마, 평탄화, 표면 금속화 및 복합 가공을 연계할 수 있으며, 칩 크기, 기판 소재 및 접합 방식에 따라 두께, 표면 거칠기, 평탄도 및 금속층 구성을 협의할 수 있습니다.
방열 소재를 평가할 때 열전도율만 비교해서는 안 됩니다. 계면 열저항, 소재 두께, 열팽창계수, 접합 방식 및 실제 열원 분포도 부품의 최종 열 성능에 영향을 미칩니다.
기술 평가
견적 및 기술 평가에 필요한 자료는 무엇입니까?
열원 크기, 출력 또는 열유속, 허용 접합부 온도, 기판 소재, 완제품 크기와 두께, 표면 거칠기, 평탄도, 금속화 또는 본딩 요구사항, 샘플, 예상 수량 및 검사·인수 방식을 제공해 주십시오.
실제 열전도율, 계면 열저항 및 가공 가능 공차는 소재 등급, 두께 및 검사 조건에 따라 확인해야 합니다.
