鑽石散熱材料 | 單晶、多晶鑽石散熱片

鑽石散熱

DIAMOND THERMAL MANAGEMENT

鑽石散熱材料利用鑽石的高熱導率、電氣絕緣性與低熱膨脹特性，縮短高熱通量元件的導熱路徑。阿里山鑽石提供單晶鑽石散熱片、多晶鑽石散熱片、銅鑽石複合材料，以及可直接成長於矽或碳化矽基板的鑽石薄膜，可依熱源面積、功率密度、封裝結構與成本條件選擇。

應用範圍包括AI／HPC、CPU／GPU／ASIC、GaN／SiC功率元件、高功率LED、RF／微波元件及雷射二極體，協助元件設計端評估晶片熱點、封裝介面與散熱基板配置。

MATERIAL TYPES

熱導率資料為1,000～1,800 W/m·K，可製作2吋至6吋等較大面積基板，適合需要散熱覆蓋面積與量產評估的封裝應用。

熱導率可達2,000 W/m·K以上，適合小面積、高功率密度晶片、高功率雷射及對介面品質要求較高的元件。

可調整銅與鑽石的複合比例，兼顧導熱、導電及熱膨脹匹配，適合功率模組與半導體封裝基板。

DOSi與DOSiC製程可將鑽石散熱層整合於Si或SiC基板，縮短晶片至散熱層之間的熱傳路徑。

PROCESS CAPABILITY

製程可串接CVD鑽石生長、精密切割、研磨拋光、平坦化、表面金屬化與複合加工，並依晶片尺寸、基板材質及接合方式討論厚度、表面粗糙度、平坦度與金屬層配置。

評估散熱材料時，不宜只比較熱導率。介面熱阻、材料厚度、熱膨脹係數、接合方式與實際熱源分布，也會影響元件的最終熱表現。

TECHNICAL EVALUATION

請提供熱源尺寸、功率或熱通量、允許接面溫度、基板材質、成品尺寸與厚度、表面粗糙度、平坦度、金屬化或鍵合需求、樣品、預估數量及驗收方式。

實際熱導率、介面熱阻與可加工公差，應依材料等級、厚度及檢測條件確認。