鑽石薄膜
產品詳情
THIN-FILM DIAMOND FOUNDRY SERVICE
將鑽石散熱層，直接整合進半導體製程
我們提供在矽(Si)與碳化矽(SiC)基板上直接生長薄膜鑽石的代工服務，透過DOSi與DOSiC技術，將鑽石優異的導熱特性與現有半導體製程平台結合，讓下游晶片直接使用具備鑽石散熱層的複合基板，取代傳統事後組裝接合的散熱方式。
CORE TECHNOLOGY
核心技術能力
01
DOSi(Diamond on Silicon)
於矽基板上生長多晶鑽石薄膜，與現有矽半導體產線相容性高
02
DOSiC(Diamond on Silicon Carbide)
於碳化矽基板上生長鑽石薄膜，特別適合高頻、高壓、高功率元件應用
03
多元CVD成長技術
依產品需求採用MPCVD、HFCVD、LACVD等不同沉積路徑，兼顧薄膜品質、成長速率與基板相容性
04
低溫/高溫製程選擇
可依基板耐溫特性彈性調整生長溫度條件，降低製程對基板的熱應力影響
APPLICATIONS
應用領域
半導體封裝與晶片內建散熱層
高頻/高壓功率元件(搭配SiC、GaN)，如5G/6G通訊、電動車功率模組
需縮短熱傳導路徑、提升整體散熱效率的高功率晶片應用
PROCESS CAPABILITY
我們的製程能力
從基板成核處理、CVD薄膜成長，到厚度均勻性控制與品質檢測，我們提供一站式薄膜鑽石代工服務，並可依客戶基板類型(Si/SiC)與應用需求，客製化薄膜厚度與製程參數。
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| 圖片 | 商品名稱 |
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鑽石薄膜 |