薄膜ダイヤモンド
製品詳細
薄膜ダイヤモンド受託製造サービス
ダイヤモンド放熱層を半導体プロセスに直接統合
シリコン(Si)および炭化ケイ素(SiC)基板上に薄膜ダイヤモンドを直接成長させる受託製造サービスを提供しています。DOSiおよびDOSiC技術により、ダイヤモンドの優れた熱伝導特性と既存の半導体プロセスプラットフォームを融合し、下流のチップがダイヤモンド放熱層を備えた複合基板を直接使用できるようにすることで、従来の後工程での組み立て・接合による放熱方式に代わるソリューションを実現します。
コア技術
コア技術力
01
DOSi（シリコン上のダイヤモンド）
シリコン基板上に多結晶ダイヤモンド薄膜を成長させ、既存のシリコン半導体製造ラインとの高い互換性を実現
02
DOSiC（炭化ケイ素上のダイヤモンド）
炭化ケイ素基板上にダイヤモンド薄膜を成長させ、高周波・高電圧・高出力デバイスの用途に特に適しています
03
多様なCVD成長技術
製品要件に応じてMPCVD、HFCVD、LACVDなど異なる成膜方式を採用し、薄膜品質、成長速度、基板との互換性を両立
04
低温・高温プロセスの選択
基板の耐熱特性に応じて成長温度条件を柔軟に調整し、基板への熱応力による影響を低減
用途
用途分野
半導体パッケージおよびチップ内蔵型放熱層
高周波・高電圧パワーデバイス（SiC、GaNとの組み合わせ）、5G/6G通信や電気自動車用パワーモジュールなど
熱伝導経路の短縮とシステム全体の放熱効率向上が求められる高出力チップ用途
プロセス能力
当社のプロセス能力
基板の核形成処理、CVD薄膜成長から、膜厚均一性の制御、品質検査まで、薄膜ダイヤモンドのワンストップ受託製造サービスを提供しています。お客様の基板タイプ(Si/SiC)および用途要件に応じて、薄膜の膜厚とプロセスパラメータのカスタマイズにも対応します。
製品問い合わせ
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薄膜ダイヤモンド |