다이아몬드 박막
제품 상세 정보
박막 다이아몬드 위탁생산 서비스
다이아몬드 방열층을 반도체 공정에 직접 통합
실리콘(Si) 및 탄화규소(SiC) 기판 위에 다이아몬드 박막을 직접 성장시키는 위탁생산 서비스를 제공합니다. DOSi 및 DOSiC 기술을 통해 다이아몬드의 우수한 열전도 특성과 기존 반도체 공정 플랫폼을 결합하여, 후공정 조립 및 접합 방식의 기존 방열 방식을 대체하고 다운스트림 칩이 다이아몬드 방열층을 갖춘 복합 기판을 직접 사용할 수 있도록 합니다.
핵심 기술
핵심 기술 역량
01
DOSi(실리콘 위 다이아몬드)
실리콘 기판 위에 다결정 다이아몬드 박막을 성장시키며, 기존 실리콘 반도체 생산 라인과의 호환성이 높습니다.
02
DOSiC(탄화규소 위 다이아몬드)
탄화규소 기판 위에 다이아몬드 박막을 성장시키며, 특히 고주파·고전압·고전력 소자에 적합합니다.
03
다양한 CVD 성장 기술
제품 요구사항에 따라 MPCVD, HFCVD, LACVD 등 다양한 증착 방식을 적용하여 박막 품질, 성장 속도 및 기판 호환성을 균형 있게 확보합니다.
04
저온/고온 공정 선택
기판의 내열 특성에 따라 성장 온도 조건을 유연하게 조정하여 공정이 기판에 미치는 열응력 영향을 줄일 수 있습니다.
응용 분야
응용 분야
반도체 패키징 및 칩 내장형 방열층
고주파/고전압 전력 소자(SiC, GaN 적용), 예: 5G/6G 통신 및 전기차 전력 모듈
열전도 경로를 단축하고 전체 방열 효율을 향상해야 하는 고전력 칩 응용 분야
공정 역량
당사의 공정 역량
기판 핵생성 처리, CVD 박막 성장부터 두께 균일도 제어 및 품질 검사까지, 박막 다이아몬드 위탁생산을 원스톱으로 제공합니다. 또한 고객의 기판 유형(Si/SiC)과 응용 요구사항에 따라 박막 두께 및 공정 파라미터를 맞춤 설계할 수 있습니다.
제품 문의
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다이아몬드 박막 |